Грунт Kiesel Okamul PU-V schnel / 3 кг
Быстросохнущий однокомпонентный грунт на основе полиуретана для грунтования впитывающих и невпитывающих оснований
.Скачать или смотреть фирменное описание и инструкцию на грунт Okamul PU-V
Грунт подходит:
- на впитывающие и не впитывающие основания
- быстросохнущий и без запаха и вредных веществ
- без содержания растворителей, с очень низкой эмиссией
- очень высокая прочность и гидроизоляция основания
- существенно снижает остаточную влажность
Свойства и область применения:
- для укрепления существующего слабого основания и стяжки
- как средство, задерживающего влагу, связанную в стяжке до max. 4,0 СМ-% перед укладкой
- в качестве грунтовки перед укладкой паркета на клей Bakit PU-P, Bakit FPK или Bakit EK и перед укладкой керамической плитки или натурального камня на клей Okamul PU-K
для защищиты чувствительных к воздействию влаги оснований, например, стяжка сульфатно-известковые штукатурки, гипсокартонные и древесностружечные плиты, плиты OSB, гипсокартон
Технические данные:
Цвет: коричневый, прозрачный
Применение: обработка основания, стяжки
Средний расход: 100-150 г/м2 в качестве грунтовки
300-350 г/м2 в качестве гидробарьера
Температура основания: от +15 C
Время высыхания*: ≈ 50 минут (*При темп. + 20º C и относительной влажности воздуха 65 %. Более высокие температуры и низкая относительная влажность воздуха, сокращает, а более низкая температура и высокая относительная влажность воздуха увеличивают время реакции)
Под теплый пол: подходит
GISCODE: RU 1 согласно стандарту TRGS 610
EMICODE: EC 1 R согласно стандарту GEV
Хранение: 12 месяцев
Подготовке основания и нанесение:
Основание должно быть прочным, сухим, чистым, без царапин, трещин, жиров и масел, выдерживает нагрузки. Перед нанесением грунтовки необходимо обеспылить основания. Основания из ангидридного и из жидкого ангидридного необходимо шлифовать до удаления наплывов. Перед использованием материал тщательно перемешать. Наносить равномерно на основание с помощью валика или ролика. Избегать образования луж и слишком толстых слоев.